JDI與SEL達成氧化物電晶體技術開發協議

 

（圖片來源：itechcorner）

在最近，IGZO或氧化物電晶體似乎成了一個熱門的名詞。鴻海入主夏普後，表示要發揚光大夏普的IGZO技術；群創光電最近也在記者會上大力讚揚IGZO的優點，並表示會推動IGZO的量產。

日本另一家面板大廠JDI，近期也宣佈和日本的專利授權機構Semiconductor Energy Laboratory（SEL）達成協議，雙方將在背板技術上合作。JDI希望透過SEL於氧化物電晶體，即IGZO上的技術成果，強化JDI在該領域的能力。

SEL所開發的氧化物 電晶體技術名稱為CAAC-IGZO，其中CAAC為C-axis aligned crystal的縮寫。基本上可以想像成是製程條件稍為複雜的IGZO，但相對的特性也比普通的IGZO更出色。IGZO雖然在電子遷移 率仍比不上LTPS，但更容易製作在大面積的基板上；另外IGZO在非點亮狀態下極低的漏電流也是一大優勢。

SEL是日本的研究及專利授權公司，和Sharp的關係非常良好。Sharp引以為傲的IGZO技術，就是和SEL共同開發出來。近幾年也常在國際期刊上看到Sharp和SEL共同發表的研究成果。由於Sharp在OLED的研發和專利都較少，之前也有人推測Sharp會借用SEL在OLED領域的開發成果導入量產。

來源：JDI